.
Значения и находим в . Результаты расчета , и и заносим в таблицу в 8.1.
По ниже приведенному выражению определим коэффициенты нагрузки и интенсивности отказов транзисторов
,
где и - фактическая и номинальная мощности, рассеиваемые на коллекторе транзистора.
;
.
Значения и находим в . Результаты расчета , и и заносим в таблицу в 8.1.
Табл. 8.1
Наименование элемента |
Обозначение на схеме |
Количество элементов Интен-ть отказов в номинальном режимеРежим работыПоправочный коэффициент | ||||||
Коэффициент нагрузки Кн |
Температура среды °С | |||||||
Резистор МЛТ -0,5 |
R1 |
1 |
0,5 |
0,664 |
40 |
0,27 |
0,14 |
0,14 |
-"- -"- |
R2 |
1 |
0,5 |
0,058 |
40 |
0,27 |
0,14 |
0,14 |
-"- -"- |
R3 |
1 |
0,5 |
0,0077 |
40 |
0,27 |
0,14 |
0,14 |
-"- -"- |
R4 |
1 |
0,5 |
0,14 |
40 |
0,27 |
0,14 |
0,14 |
-"- -"- |
R5 |
1 |
0,5 |
0,057 |
40 |
0,27 |
0,14 |
0,14 |
-"- -"- |
R6 |
1 |
0,5 |
0,048 |
40 |
0,27 |
0,14 |
0,14 |
Конденсатор |
C1 |
1 |
1,4 |
0,125 |
40 |
0,07 |
0,098 |
0,098 |
-"- |
C2 |
1 |
1,4 |
0,518 |
40 |
0,07 |
0,098 |
0,098 |
Транзистор КТ815А |
VT1 |
1 |
1,7 |
0,0033 |
40 |
0,07 |
0,119 |
0,119 |
-"- |
VT2 |
1 |
1,7 |
0,0007 |
40 |
0,07 |
0,119 |
0,119 |
Микроэлектроника. Новая быстро развивающаяся технология
Электроника
прошла несколько этапов развития, за время которых сменилось несколько
поколений элементной базы: дискретная электроника электровакуумных прибор ...
Программируемый генератор сигналов
Современное состояние и перспективы развития многих отраслей техники, в
том числе и радиоэлектроники, во многом определяются широким проникновением
средств ...
Функционально-структурный анализ системы автоматического управления (регулирования) технического объекта
Работа любого технологического объекта
характеризуется различными параметрами, которые изменяются в зависимости от
работы машины и воздействия внешних факто ...