J = σE, (1.15)
где σ - удельная электропроводность вещества.
Сравнивая (1.14) и (1.15), получаем:
σ = e(μnni + μppi) (1.16)
В результате можно сделать следующее заключение: удельная электропроводность полупроводника зависит от концентрации электронов и дырок и от их подвижности. Согласно (1.5) и (1.6) получим:
(1.17)
Эта формула показывает, что удельная электропроводность полупроводника зависит от типа вещества (так как в формулу входят величины n0 и ΔW), а также от температуры. Чем выше температура, тем удельная электропроводность выше, причем эта зависимость носит экспоненциальный характер.
Усилитель низкой частоты для наушников
За последние 100 лет, значительные изменения во многих областях
науки и техники обусловлены быстрым развитием электроники. На сегодняшний день
невозможно на ...
Микроэлектроника. Новая быстро развивающаяся технология
Электроника
прошла несколько этапов развития, за время которых сменилось несколько
поколений элементной базы: дискретная электроника электровакуумных прибор ...
Метрологические характеристики уровнемеров
Многообразие применяемых типов измерительных
преобразователей, повышение требований к точности и надежности работы систем
приводят к необходимости использов ...