Для выбора оптимальной конструкции просветляющего покрытия построим графики спектральных зависимостей R= f(л) для всех типов покрытий в единой системе координат.
Оптимальной будет та конструкция, которая обеспечивает минимальный коэффициент отражения на рабочей длине волны л0=600 нм и более широкую зону просветления в заданной области спектра.
Таким образом, оптимальным является 4-х слойное оптическое покрытие.
Построим графики спектральных зависимостей R= f(л) для 4-хслойного покрытия (теоретический и смоделированный):
Обозначим выбранную конструкцию просветляющего покрытия:
ВД - Просветл. 97ИЭ 112 ИЭ 97 ИЭ 110 ИЭ150
л0 = 600 нм ±20 нм;
сmin = 0,006;
л1 - л2 = 400 - 800 нм.
Материал подложки: ЛК-1 ГОСТ 3514-94;
nс=1.441
Для данной конструкции просветляющего покрытия составим технологический процесс.
Технологический процесс
Технологический процесс включает следующие основные операции:
Очистка подложек.
Подготовка вакуумной камеры.
Ионная очистка подложек.
Нагрев подложек до фиксированной температуры.
050 Нанесение оптических покрытий:
Нанесение оптического покрытия YF3.
Нанесение оптического покрытия LaF3.
Нанесение оптического покрытия YF3
Нанесение оптического покрытия CaF2.
Разгерметизация вакуумной камеры, выгрузка готовых изделий.
Контроль оптических параметров покрытия.
Содержание операций:
010
- Очистка подложек: подложки из стекла ЛК-1 ГОСТ 3514 - 94 обезжиривают в смеси петролейного эфира и этилового спирта в соотношении 75% - 25% и окончательно протирают тампонами обезжиренной ваты, смоченной в абсолютном этиловом спирте. Очищенные детали протирают обезжиренными батистовыми салфетками. Готовые детали вставляют в съёмные оправы подложкодержателя и с поверхностей беличьей кисточкой удаляются ворсинки. Очищенные детали в оправах загружают в подложкодержатель, и подложкодержатель устанавливается в вакуумную камеру. При выполнении этой операции оператор должен работать в резиновых перчатках или напальчниках.
020
- Подготовка вакуумной камеры происходит параллельно с операцией 010:
S Очистка элементов подколпачной аппаратуры (экранов, испарителей, заслонов) от пленок испаряемых материалов и пропитку их спиртом.
S Загрузка исходных пленкообразующих материалов в испарители (YF3, LaF3, и CaF2 в 4х позиционный тигель электронно-лучевого испарителя).
S Загрузка подложкодержателя с очищенными оптическими деталями.
S Проверка работоспособности механизмов и устройств в вакуумной камере: вращение подложкодержателя, перемещение заслонок, работа фотометра.
S Откачка камеры до давления примерно 2 Па.
030
- Операция ионной очистки подложек проводится в камере (р=2…1.38 Па) в течение 5-10 минут при напряжении 500 В на электроде ионной очистки и токе разряда 150 - 200 мА. При этом включается вращение подложкодержателя с частотой n = 10-20 мин -1. В процессе ионной очистки ионами остаточных газов с поверхности удаляются пылинки и молекулы тяжелых газов. По окончании ионной очистки камера откачивается до Р = 10 -2 - 10 -3 Па.
Проект кабельной линии
Железнодорожная сеть представляет собой единую, работающую по
общему плану систему, части которой взаимодействуют друг с другом. Работа всех
звеньев министе ...
Проектирование зеркальных антенн для индивидуального приема спутниковых программ
Наибольший интерес в настоящее время представляет прием
телевидения в диапазоне 11…12 ГГц, для которого наиболее применимы
параболические антенны, так как п ...
Исследование входных цепей радиоприемников
Цель
работы: Закрепление теоретических знаний и
экспериментальное исследование входных цепей при емкостной, индуктивной и
смешанной связи с ненастрое ...