Сопротивлением разделительной емкости можно С5 пренебречь, т.к. оно составляет 1 Ом, поэтому входное напряжение конечного каскада будет равно выходному напряжению автогенератора.
UвхАГ = 0.28В = UбэVT2м = UкэVT1м
Зададимся током коллектора в рабочей точке Iк0 = 1 мА
Т.к. автогенератор работает в режиме отсечки коллекторного, то первая гармоника коллекторного тока.
Iк1 = 4Iк0·(1-cos(Θ))/ Θ2 = 1.925 мА,
кварцевый резонатор автогенератор
где Θ - угол отсечки коллекторного тока.
При значении коэффициента регенерации G = 1.5 ÷ 5 формула (1-cos(Θ))/ Θ2 хорошо аппроксимируется выражением (1-cos(Θ))/ Θ2 ≈ 0.275(2*G-1)/G
Зададим коэффициент регенерации G = 4.
Определим из известного значения коэффициента регенерации угол отсечки Θ.
По таблице Θ = 67020’
По этой таблице определим коэффициенты разложения коллекторного тока γ1 = 0.135 и γ0 = 0.0736
Определим ток покоя базы Iб0
Iб0 = Iк0/ β = 0.027 мА
Определим первую гармонику тока базы Iб1
Iб1 = Iб0 *γ1/γ0 = 0.05мА
Определим амплитуду напряжения на базе Uбэм
Uбэм = Iк0/S·γ0 = 0.19 В,
где S - крутизна транзистора S ГТ308А = 0.07 А/В.
Определим напряжение покоя база-эмиттер Uбэ0.
Для начала найдем напряжение отсечки для транзистора ГТ308А
Еотс = 0.25 В.
Uбэ = Еотс + √Iк0·Uбэм/S = 0.302 В
Определим напряжение покоя коллектор-эмиттер
Uкэ0 = 0.4 ÷ 0.5Еп = 6В
Найдем падение напряжение на резисторе R5
UR5 = 0.2 ÷ 0.3Еп = 3 В
Найдем падение напряжение на резисторе R3
UR3 = Eп - UR5 - Uкэ0 = 3 В
Определим R5
R5 = UR5/Iэ0 = 2.92 кОм
Выбираем стандартный резистор МЛТ 3к 0.125 мВт
Определим падение напряжения на резисторе R3
R3 = UR3/Iк0 = 3 кОм
Выбираем стандартный резистор МЛТ 3к 0.125 мВт
Определим емкость С4, шунтирующую по переменному току резистор R5
С4 = 5/π·fн·R5 = 121 пФ
Выбираем стандартную емкость К10-15 120 нФ
Определим емкость С3, шунтирующую по переменному току резистор R3, аналогично С4.
С3 = 118 пФ
Выбираем стандартную емкость К10-15 120 нФ
С5 определим аналогично С8
С5 = 35 нФ
Выбираем стандартную емкость КМ-5 36 нФ
Определим делители в цепи базы VT1 в соответствии с разделом «Расчет буферного каскада»:
R2 = 29.3 кОм
R1 = 12.2 кОм
Выбираем стандартные резисторы соответственно МЛТ 30к 0.125 мВт и МЛТ 12к 0.125 мВт
Устройство оперативной памяти статического типа емкостью 12 Кб для микропроцессора Intel 8080
Одним
из ведущих направлений развития современной микроэлектронной элементной базы
являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой д ...
Проектирование и программная реализация комплексной системы стрелочных переводов
Цифровая обработка сигналов (ЦОС) [1] представляет собой одну из наиболее
мощных технологий, которая в XXI веке будет определять развитие наук ...
Внедрение технологии спектрального уплотнения на участке ст. Свердловск – ст. Тюмень
В последние два десятилетия прошедшего и в начале текущего века
происходит смена эпохи индустриально-технологического развития передовых
государств эпохой и ...