.
где M - намагниченность магнита, V - его объем, S - площадь сечения, H - высота.
Рисунок 4.7 - Представление цилиндрического постоянного магнита эквивалентным соленоидом
Магнитный момент эквивалентного соленоида:
= j∙H∙S,
где - линейная плотность намагничивающего тока.
Тогда j = M.
Для материалов с прямоугольной петлей гистерезиса (феррит бария, феррит стронция, неодим-железо-бор, самарий, кобальт и т.п.):
.
где Br - остаточная индукция, µ0 = 4∙10-7 - магнитная постоянная. Таким образом, линейную плотность намагничивающего тока можно выразить приближенной формулой:
.
Рассчитать величину и направление вектора магнитной индукции B в произвольной точке магнитного поля, создаваемого в вакууме (или воздухе) однослойным соленоидом с известной линейной плотностью тока, можно с помощью закона Био - Савара - Лапласа.
Закон Био - Савара - Лапласа для соленоида с бесконечно тонкой обмоткой:
,
где µа - магнитная проницаемость воздуха примерно равна 4∙10-7, 2∙π∙R - длина окружности.
Рисунок 4.8 - Соленоид
Пользуясь схемой соленоида (рисунок 4.8) и выше - указанными формулами получим формулу B (h(α)):
,
где h(α) - расстояние от магнита до датчика, которое меняется по следующему закону в зависимости от угла поворота диска:
где Rд - радиус диска, Lз - минимальный зазор между магнитом и датчиком.
Изобразим теоретическую зависимость магнитной индукции (B) от расстояния от датчика до магнита (h(α) = x). На рисунке 4.9 показана эта зависимость.
Используя прикладную программу MathCAD 14, найдем расстояние, при котором происходит срабатывание (x1) и отпускание (x2) магнитной индукции датчика Холла:= 0,0435 м,= 0,0587 м.
Проблемы обнаружения и подавления работы радиоуправляемых взрывных устройств
Цель
контрольной работы - описать проблемы обнаружения и подавления работы
радиоуправляемых взрывных устройств и сотовых телефонов, выявить основные
методы ...
Функционально-логическое проектирование цифрового узла заданного типа в заданном базисе и проверка его функционирования при различных наборах воздействующих сигналов
Цель
работы: синтезировать цифровой узел заданного
типа в заданном базисе и проверить его функционирование при различных наборах
воздействующих сигналов.
...
Устройство оперативной памяти статического типа емкостью 12 Кб для микропроцессора Intel 8080
Одним
из ведущих направлений развития современной микроэлектронной элементной базы
являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой д ...