=
при
- const;
=
при Iб- const.
=
при
- const;
=
при Iб- const
Для определения через рабочую точку проводят касательную к входной характеристике и строят треугольник. Отношение катетов треугольника
равно
.
Для определения выбирают две входные характеристики, снятые при разных напряжениях Uкэ. Через рабочую точку проводят горизонтальную линию, которая пересекает две входных характеристики, что соответствует Iб-const. Отрезок АВ пропорционален приращению напряжения ΔU*бэ, а приращение напряжения на коллекторе равно разности напряжений, при которых сняты характеристики ΔUкэ.
Для определения в области рабочей точки проводят вертикальную линию, которая пересекает две соседние выходные характеристики. Отрезок АВ пропорционален приращению тока ΔIк, а приращение тока базы равно разности токов, при которых сняты выходные характеристики ΔIб.
Для определения на выходной характеристике с током базы, близким к току базы в рабочей точке, находят приращение тока коллектора ΔI*к, вызванное приращением напряжения на коллекторе ΔUкэ при постоянном токе базы.
Положение рабочей точки транзистора при его включении в схеме с общим эмиттером определяется пересечением одной из выходных характеристик и нагрузочной прямой. Нагрузочная прямая описывается уравнением Uк=Ек - IкRк, где Ек -ЭДС источника напряжения в цепи коллектора; Rк - сопротивление коллекторной нагрузки. Нагрузочная прямая строится по двум точкам:
Uк= Ек при Iк =0;
Iк = Ек / Rк при Uк =0.
Требования безопасности труда
Не включать лабораторный стенд без проверки преподавателем схемы соединений. При переключении измерительных приборов в ходе работы выключить тумблер «СЕТЬ».
Порядок выполнения работы
. Подключить источники питания ГТ и ГН2, измерительные приборы во входной и выходной цепях схемы, соблюдая полярность ( рис. 12).
Во входной цепи использовать прибор блока ИВ для измерения тока базы Iб (РА1), переключатель которого установить в положении ГТ 1 мА, прибор АВМ1 на пределе 1В для измерения напряжения база - эмиттер (PV1).
. Установить на стенд транзистор.
. Исследовать зависимость тока базы Iб от напряжения база-эмиттер Uбэ при Uкэ: 0, -5 и -7,5 В. Изменять ток базы регулятором ГТ от 0 до 500 мкА. Данные занести в таблицу, разработанную самостоятельно.
. Исследовать зависимость тока коллектора Iк от напряжения коллектор-эмиттер Uкэ для трех значений тока базы Iб : 100, 200 и 300 мкА. Для этого сделать следующее:
· отключить РА1 и вставить в гнездо перемычку;
· для измерения тока коллектора использовать прибор АВМ1 (50 мкА);
· снять зависимость Iк =F(Uкэ).
Изменять Uкэ от 0 до 15 В через 2 В до значения Iк =30 мА. Данные занести в самостоятельно составленную таблицу.
. Исследовать передаточную характеристику транзистора. Ток базы измерить с помощью генератора тока ГТ в пределах от 0 до 500 мкА при Uк = 5В и 10В. Данные занести в таблицу.
Обработка результатов измерений
Построить семейства входных и выходных характеристик с указанными на них областями насыщения, отсечки и активного режима.
Фазовращатели фазированных антенных решеток
фазовращатель фазированный антенный решетка
Представим
себе высоконаправленную антенну, обеспечивающую связь с искусственным спутником
Земли (ИСЗ). Такая ант ...
Проектирование автомата подачи звонков
Разработанный автомат подачи звонков удовлетворяет всем
требованиям, предъявленным в задании. Настройка автомата производится с помощью
трех кнопок: «вверх» ...
Проект кабельной линии
Железнодорожная сеть представляет собой единую, работающую по
общему плану систему, части которой взаимодействуют друг с другом. Работа всех
звеньев министе ...