Исследование биполярного транзистора

= при - const;

= при Iб- const.

= при - const; = при Iб- const

Для определения через рабочую точку проводят касательную к входной характеристике и строят треугольник. Отношение катетов треугольника равно .

Для определения выбирают две входные характеристики, снятые при разных напряжениях Uкэ. Через рабочую точку проводят горизонтальную линию, которая пересекает две входных характеристики, что соответствует Iб-const. Отрезок АВ пропорционален приращению напряжения ΔU*бэ, а приращение напряжения на коллекторе равно разности напряжений, при которых сняты характеристики ΔUкэ.

Для определения в области рабочей точки проводят вертикальную линию, которая пересекает две соседние выходные характеристики. Отрезок АВ пропорционален приращению тока ΔIк, а приращение тока базы равно разности токов, при которых сняты выходные характеристики ΔIб.

Для определения на выходной характеристике с током базы, близким к току базы в рабочей точке, находят приращение тока коллектора ΔI*к, вызванное приращением напряжения на коллекторе ΔUкэ при постоянном токе базы.

Положение рабочей точки транзистора при его включении в схеме с общим эмиттером определяется пересечением одной из выходных характеристик и нагрузочной прямой. Нагрузочная прямая описывается уравнением Uк=Ек - IкRк, где Ек -ЭДС источника напряжения в цепи коллектора; Rк - сопротивление коллекторной нагрузки. Нагрузочная прямая строится по двум точкам:

Uк= Ек при Iк =0;

Iк = Ек / Rк при Uк =0.

Требования безопасности труда

Не включать лабораторный стенд без проверки преподавателем схемы соединений. При переключении измерительных приборов в ходе работы выключить тумблер «СЕТЬ».

Порядок выполнения работы

. Подключить источники питания ГТ и ГН2, измерительные приборы во входной и выходной цепях схемы, соблюдая полярность ( рис. 12).

Во входной цепи использовать прибор блока ИВ для измерения тока базы Iб (РА1), переключатель которого установить в положении ГТ 1 мА, прибор АВМ1 на пределе 1В для измерения напряжения база - эмиттер (PV1).

. Установить на стенд транзистор.

. Исследовать зависимость тока базы Iб от напряжения база-эмиттер Uбэ при Uкэ: 0, -5 и -7,5 В. Изменять ток базы регулятором ГТ от 0 до 500 мкА. Данные занести в таблицу, разработанную самостоятельно.

. Исследовать зависимость тока коллектора Iк от напряжения коллектор-эмиттер Uкэ для трех значений тока базы Iб : 100, 200 и 300 мкА. Для этого сделать следующее:

· отключить РА1 и вставить в гнездо перемычку;

· для измерения тока коллектора использовать прибор АВМ1 (50 мкА);

· снять зависимость Iк =F(Uкэ).

Изменять Uкэ от 0 до 15 В через 2 В до значения Iк =30 мА. Данные занести в самостоятельно составленную таблицу.

. Исследовать передаточную характеристику транзистора. Ток базы измерить с помощью генератора тока ГТ в пределах от 0 до 500 мкА при Uк = 5В и 10В. Данные занести в таблицу.

Обработка результатов измерений

Построить семейства входных и выходных характеристик с указанными на них областями насыщения, отсечки и активного режима.

Интересное из раздела

Cинтез инвертирующего усилителя
Операционные усилители в настоящее время находят широкое применение при разработке различных аналоговых и импульсных электронных устройств. Это связано с те ...

Автоматическая система управления
В настоящее время широко используются микропроцессорные устройства и системы. Их назначение и область применения очень велика. Так, различного рода микропроцессорные сист ...

Устройство оперативной памяти статического типа емкостью 12 Кб для микропроцессора Intel 8080
Одним из ведущих направлений развития современной микроэлектронной элементной базы являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой д ...