Расчет теплового режима

где А0 - тепловая амплитуда;

D - тепловой коэффициент.

А0 = 2*180*0,0015*0,042*16,9* = 0,035 ˚С;

а - предельное значение темпа охлаждения:

(2.17)

а = ˚С,

- теплоотдача:

(2.18)

μ = ˚С

(2.19)

μ1 = -0,024*(70 - 25) = -1,08 ˚С;

С - перегрев:

С = , (2.20)

С = -0,21˚С.

Температура в центре основания радиатора, ˚С(t0):

t0 = tp + 2C, (2.21)

t0 = 70 + 20,21 = 70,72˚С

Температура основания радиатора на границе области основания радиатора:

(2.22)

tос = 70 + 2*0,21*ch () = 71,06 ˚С.

Мощность, рассеиваемая основанием радиатора, Вт:

(2.23)

Рор = 2*(71,06 - 25)*0,035 = 3,2 Вт,

что не намного ниже принятого ранее значение (3,4 Вт)

Расчет крышки радиатора

Температура основания крышки, С:

tкр = toc - Pкр*Rвт, (2.24)

где Ркр - мощность, отводимая крышкой радиатора, Ркр=2 Вт (принимаем);

Rвт - тепловое сопротивление втулок, Вт/˚С, Rвт=2,27Вт/˚С.

tкр = 71,06 - 2*2,27 = 66.

Перепад температур крышки радиатор-среда:

tкс = tкр - tс , (2.25)

tкс = 66 - 25 = 41.

Приведенный коэффициент теплоотдачи оребрения крышки радиатора:

- коэффициент теплоотдачи оребрения крышки радиатора, (Вт/м2)*˚С (определяется по рисунку 2.4 при Δtрс = 41˚С).

αшт = 19,6 (Вт/м2)*˚С (2.26)

Коэффициент оребрения определим по формуле (2.14)

е = , (2.27)

где Fp - полная площадь поверхности одного ребра, м2;

Fос - площадь основания ребра, м2.

(Вт/м2)*˚С,

Кк = αшт * е, (2.28)

Кк= 19,6 *26 = 905 (Вт/м2)*˚С.

Коэффициент теплоотдачи неоребренной поверхности радіатора в области основания:

α0 = 5,4 (Вт/м2)*˚С по рисунку 2.5, при Δtрс = 41˚С

Усредненная ширина радиатора в области кришки:

определим по формуле:

А = мм.

Мощность, рассеиваемая крышкой радиатора, Вт:

(2.29)

Рк = (5090,0015180,003 + 5,40,0390,04)41 = 2,03 Вт,

Интересное из раздела

Амплитудная модуляция
Исследование различных видов модуляции необходимо для определения требуемых свойств каналов, сокращения избыточности модулированных сигналов и улучшения исп ...

Проектирование железнодорожного узла связи на основе цифровой АТС Квант-Е
Цифровая система коммутации «Квант-Е» имеет модульное построение, распределенную коммутацию, децентрализованное программное управление и возможность централ ...

Устройство оперативной памяти статического типа емкостью 12 Кб для микропроцессора Intel 8080
Одним из ведущих направлений развития современной микроэлектронной элементной базы являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой д ...