Вольтамперная характеристика

Вольтамперная характеристика реального p-n - перехода при Uвнешнее=0. В реальных условиях в запирающем слое происходит генерация и рекомбинация пар носителей, которые разделяются электрическим полем перехода так, что электроны переходят в n-область, а дырки в р-область, создавая дополнительную составляющую обратного тока, называемую генерационным током Iген. По своей природе он, как и I0 является тепловым, различие лишь в том, что I0 создается неосновными носителями, а образовавшиеся пары будут основными носителями. В состоянии равновесия Iген уравновешивается рекомбинационным током Iрек. Некоторые основные носители, вошедшие в обедненный слой, но не имеющие достаточной энергии для преодоления барьера, могут быть захвачены ловушками и рекомбинировать с носителями, приходящими таким же образом из другой области. Рекомбинация в самом переходе означает появление дополнительного тока Iген. В состоянии равновесия Iген = Iрек и ток через p-n - переход равен нулю.

Рисунок 5.15 - Токи через обедненный слой

Что произойдет при включении p-n - перехода в обратном направлении? Потенциальный барьер возрастает и ток основных носителей прекращается, поэтому исчезает рекомбинационный ток, а ток генерации - возрастает, так как расширяется обедненный слой.

При прямом включении произойдет сужение обедненного слоя, поэтому Iген уменьшается, а ток Iрек увеличивается из-за увеличения потока основных носителей через переход.

На рисунке 5.15 штриховой линией показана ВАХ идеализированного p-n - перехода.

I0 - тепловой ток является важным параметром p-n - перехода. Его значение пропорционально равновесной концентрации неосновных носителей в нейтральных областях.

I0 - сильно снижается с ростом ширины запрещенной зоны и увеличения концентрации носителей.

Пробой

p

-

n

- перехода.

Существуют виды электрического пробоя: лавинный, туннельный, тепловой, поверхностный.

Лавинный пробой вызывается ударной ионизацией атомов кристаллической решетки в обедненном слое при обратном включении.

При Uобр ток создается дрейфовым движением неосновных носителей, приходящих из нейтральных областей. Эти носители ускоряются в обедненном слое, приобретают кинетическую энергию, достаточную для того, чтобы при соударении с нейтральными атомом ПП произвести их ионизацию, т.е. появляются пары электрон-дырка. Вновь образовавшиеся носители будут ускоряться полем и вызывают дополнительную ионизацию и при определенном значении Uобр = Uпробив процесс становится лавинообразным, что приводит к резкому увеличению обратного тока.

Значение Uобр зависит от ширины запирающего слоя, чем шире, тем Uпробоя больше, так как необходимо сообщить большую энергию носителям.

Uобр зависит от температуры и типа полупроводника. Для p-n - переходов, сделанных на базе кремния Uпробив возрастает с повышением температуры, так как уменьшается длина свободного пробега носителей и для сообщения носителям необходимой энергии требуется большая напряженность.

Туннельный пробой.

Возникает, когда напряженность поля в обедненном слое возрастает настолько (Е ≥ В/м), что проявляется туннельный эффект - переход электронов сквозь барьер без изменения энергии. Эффект наблюдается в узких переходах (порядка мкм), а для этого нужна большая концентрация примеси (более ) Туннельный эффект возникает как при прямом так и при обратном включении.

При Uобр возникает эффект за счет перехода валентных электронов из валентной зоны р-области без изменения энергии на свободный уровень в зону проводимости n-области.

Интересное из раздела

Однофазный инвертор напряжения
В данном курсовом проекте проектируется полупроводниковый преобразователь электрической энергии - автономный инвертор напряжения. Вначале преобразователи выпол ...

Автоматизированная система учета энергоресурсов
Вследствие роста тарифов на энергоресурсы, потребляемые населением (газ, вода, электроэнергия), встает вопрос о необходимости оперативного и достоверного контро ...

Анализ и синтез САУ методом корневого годографа
- Изучение системы автоматического регулирования (САР). - Оценка качеств, характеристик САР (устойчивости, ошибки, переходного процесса) по различн ...