2) от концентрации примесей в областях, с увеличением примеси Uk p - n возрастает;
) от температуры ПП, с увеличением температуры Uk p - n уменьшается.
Значение толщины запирающего слоя определяют:
,
где e - относительная диэлектрическая проницаемость ПП;
Если переход резко несимметричен Na>>Nд, то
d p - n= Ö(2ee0 / eNa) * jk
Для симметричного p - n - перехода с линейным распределением примеси Nэф
d=Ö12ee0 φк / e * dNэф / dx
Расчет установившихся режимов линейных электрических цепей
Данная работа представляет собой обобщение работы, проведенной за время
обучения теоретических основ электротехники. Фактически всю работу можно
разделить н ...
Микроэлектроника. Новая быстро развивающаяся технология
Электроника
прошла несколько этапов развития, за время которых сменилось несколько
поколений элементной базы: дискретная электроника электровакуумных прибор ...
Исследование узлов и систем автоматического регулирования
Объектом исследования данного курсового проекта
является системы автоматического регулирования, их виды, элементарные звенья и
их математические модели с те ...