По структуре жидкие кристаллы подразделяют на три класса: нематические, смектические и холестерические.
В нематических
кристаллах удлиненные молекулы выстроены в виде нитей, как показано на рисунке 1.16, а (слово «немое» по-гречески означает нить). Направление преимущественной ориентации молекул является оптической осью кристалла.
а - нематических; б - смектических; в - холестерических
Рисунок 1.16 - Структура жидких кристаллов
В смектических,
жидких кристаллах параллельно ориентированные молекулы упакованы в слои (рисунок 1,16, б) и таким образом имеют большую степень упорядочения. Если одно и то же вещество может находиться в обеих жидкокристаллических модификациях, то смектическая фаза расположена по температуре ближе к твердой фазе, чем нематическая. Например, в n-гептилоксибензойной кислоте происходят следующие фазовые превращения с повышением температуры:
Слоистая упаковка молекул создает анизотропию не только оптических, но и механических свойств, поскольку слои легко смещаются относительно друг друга. Слово «смектос» по-гречески - мыло; к этим кристаллам относятся мыльные растворы.
В холестерических,
жидких кристаллах пластинчатые молекулы также укладываются в слои, но ориентировка их плавно меняется от слоя к слою, так как молекулы выстраиваются по пространственной спирали (рисунок 1.16, в). К этому классу относятся в основном соединения холестерина.
Ориентационный порядок в расположении молекул приводит к анизотропии свойств жидких кристаллов: показатель преломления, диэлектрическая и магнитная проницаемости, удельное сопротивление, вязкость и другие параметры в направлении, параллельном молекулярным осям, и в перпендикулярной плоскости неодинаковы (рисунок 1.16 б).
Свойства жидких кристаллов сходны со свойствами сегнетоэлектриков. Как и сегнетоэлектрики, жидкие кристаллы разбиты на домены - области с одинаковыми направлениями осей молекул. В переменном электрическом поле для некоторых из них характерны петли гистерезиса с ярко выраженным насыщением. В точках фазового перехода диэлектрическая проницаемость ε имеет максимум, исчезающий с повышением частоты, как у дипольных сегнетоэлектриков. Однако время переориентации диполей в жидких кристаллах велико по сравнению с сегнетоэлектриками, и петли гистерезиса и максимум ε наблюдаются лишь на очень низких частотах (< 1 Гц).
Рисунок 1.17 - Температурная зависимость показателей преломления параазоксианизола в направлении параллельном (n0) и перпендикулярном (n1) молекулярным осям
Структура жидких кристаллов очень подвижна и легко изменяется при внешних воздействиях: электрического и магнитного поля, температуры, давления и т. д. Изменение структуры в свою очередь приводит к изменениям оптических, электрических и других свойств. Поэтому можно управлять свойствами жидких кристаллов путем очень слабых внешних воздействий, т. е. использовать их в качестве чувствительных индикаторов этих воздействий. На практике используют изменение оптических свойств при внешних воздействиях электрическим полем в нематических кристаллах и тепловым - в холестерических.
Жидкие кристаллы нематического типа применяют благодаря присущему им электрооптическому эффекту динамического рассеяния.Слабое электрическое поле, приложенное к жидкому кристаллу, вызывает выстраивание молекул осями с высокой ε параллельно полю. Однако, если напряжение превысит некоторое пороговое значение, устойчивая доменная структура разрушается, возникает ячеистая структура, сопровождающаяся появлением гидродинамических течений. При дальнейшем увеличении напряжения течение в жидкости становится турбулентным, а вещество оптически неоднородным. Жидкий кристалл в таком неупорядоченном состоянии рассеивает свет во всех направлениях. Эффект динамического рассеяния приводит к изменению прозрачности жидкого кристалла под действием электрического поля. Поле может быть как постоянным, так и переменным с низкой частотой (до 102 - 104 Гц в зависимости от материала). Время установления состояния динамического рассеяния составляет 1 - 10 мс, а исчезновения после снятия напряжения - 20-200 мс. Быстродействие индивидуальных жидкокристаллических соединений выше, чем смесей; оно повышается с увеличением напряжения.
В основу работы положено свойство некоторых веществ изменять свои оптические показатели (коэффициент поглощения, отражения, рассеивания, преломления, спектральное отражение и пропускание, оптическую разность хода, оптическую активность) под влиянием электрического поля.
Исследование узлов и систем автоматического регулирования
Объектом исследования данного курсового проекта
является системы автоматического регулирования, их виды, элементарные звенья и
их математические модели с те ...
Источник питания охранного устройства
В настоящее время существует множество систем, предназначенных для
осуществления охраны и безопасности объектов. С развитием науки и техники
у ...
Организация и расчет сетей поездной и станционной радиосвязи
Бурное развитие радиотехники создало все предпосылки для
широкого использования радиосредств на железнодорожном транспорте. Массовое
внедрение радиосвязи н ...