Разделы сайта

Однослойное просветляющее покрытие

Таблица 1.2

л, нм	400	450	500	550	600	650	700	750	800
в	0,7500	0,6667	0,6000	0,5455	0,5000	0,4615	0,4286	0,4000	0,3750
cos2в	0,0000	-0,5000	-0,8090	-0,9595	-1,0000	-0,9709	-0,9010	-0,8090	-0,7071
r1,3	-0,1031	-0,0639	-0,0395	-0,0276	-0,0243	-0,0266	-0,0322	-0,0395	-0,0476
R1,3	0,0106	0,0041	0,0016	0,0008	0,0006	0,0007	0,0010	0,0016	0,0023
T1,3	0,9894	0,9959	0,9984	0,9992	0,9994	0,9993	0,9990	0,9984	0,9977

Перейти на страницу: 1 2

Интересное из раздела

Cинтез инвертирующего усилителя
Операционные усилители в настоящее время находят широкое применение при разработке различных аналоговых и импульсных электронных устройств. Это связано с те ...

История появления полупроводниковых интегральных схем
сентября 1958 года сотрудник фирмы Texas Instruments (TI) Джек Килби продемонстрировал руководству три странных прибора - склеенные пчелиным воском на стеклянно ...

Исследование узлов и систем автоматического регулирования
Объектом исследования данного курсового проекта является системы автоматического регулирования, их виды, элементарные звенья и их математические модели с те ...