Рассчитать ДУ на биполярных транзисторах с ГСТ, несимметричным входом и выходом. ЭДС входного сигнала Еr = 1,2 мВ, сопротивление Rr = 1,6 Ом. требуемый коэффициент усиления КUд = 15, сопротивление Rвх ³ 47 кОм.
Решение
. Для обеспечения малого дрейфа ДУ выбираем транзисторы КТ312А, имеющие малый тепловой ток и достаточно высокий коэффициент b. Допустимое напряжение Uкэ max £ 15 В. Следовательно, Ек1 = Ек2 £ 7,5 В. Амплитуда выходного напряжения Uвых = KUдEr = 15×1,2 = 18 мВ, тогда примем Ек1 = Ек2 = 7 В. Меньшие значения Ек затрудняют построение ГСТ.
. Выбираем для транзисторов Т1 и Т2 рабочую точку с Uкэ0 = 3 В, Iк0 = 1 мА, Uбэ0 = 0,45 В. Тогда номинал резистора Rк составляет
В выбранном режиме h11э = 2 кОм, b = 40, тогда
Примем R’ э = 1,2 кОм, тогда вх.д = 2[h 11э + 0,5R’ э(35 + 1)] = 47,2 кОм.
Примем Rб = Rr = 1,6 Ом, тогда:
Получили, что КU и Rвх удовлетворяют условию.
. Рассчитаем ГСТ, для чего вначале определим потенциал коллектора транзистора Т3 относительно общей шины:
к3 = -(Iб01Rr + Uбэ01 + Iк01 ) = - 1,7 В.
Следовательно, падение напряжения на транзисторе Т3 и резисторе R3 составит Ек2 - Uк3 = 7 - 1,7 = 5,3 В.
Выберем потенциал базы транзистора Т3: Uбэ = - 4,5 В, Uкб3 » 4 В. Тогда падение напряжения U на резисторе R4 и диоде Д:
= Ек2 - Uбэ = 7 - 4,5 = 2,5 ВR3 = U - Uбэ03 = 2,5 - 0,5 = 2 В.
Т.к. при Iк03 = Iк01 + Iк02 = 2 мА, Uбэ03 = 0,5 В.
Тогда сопротивление резистора R3:
3 = UR3/Iк03 =2/2 = 1 кОм.
Выберем ток делителя R4, R5, равным Iк03 = 2 мА. Тогда
5 = (Ек2 -U)/Iдел = 2,25 кОм.
Примем в качестве диода транзистор КТ312А в диодном включении, при Iэ = 2мА величина Uд = Uбэ0 = 0,5 В и поэтому
В итоге имеем:к1 и Rк2 - МЛТ - 0,25 - 3,9 кОм 5%.э1 и Rэ2 - МЛТ - 0,25 - 620 Ом 5%.3 и R4 - МЛТ - 0,25 - 1 кОм 5%5 - МЛТ - 0,25 - 2,2 кОм 5%.6 - МОН - 0,25 - 1,6 Ом 5%.
№ |
Обозначение |
Наименование |
Кол-во |
Конденсаторы | |||
1 |
С1, С2 |
К50 - 6 - 5 мкФ - 16В |
2 |
2 |
С3, С4, С7 |
К50 - 6 - 100 мкФ - 16В |
3 |
3 |
С5, С6, С8 |
К50 - 6 - 50 мкФ - 16В |
3 |
Резисторы | |||
4 |
R1, R4, R14 |
МЛТ - 0,25 - 3,9 кОм ± 5 % |
3 |
5 |
R2, R5 |
МЛТ - 0,25 - 620 кОм ± 5 % |
2 |
6 |
R3, R6, R9 |
МЛТ - 0,25 - 1 кОм ± 5 % |
3 |
7 |
R7 |
МЛТ - 0,25 - 2,2 кОм ± 5 % |
1 |
8 |
R8 |
МОН - 0,25 - 1,6 кОм ± 5 % |
1 |
9 |
R10, R21, R23 |
МЛТ - 0,25 - 1 кОм ± 5 % |
3 |
10 |
R11 |
МЛТ - 0,25 - 47 кОм ± 5 % |
1 |
11 |
R12 |
МЛТ - 0,25 - 5,1 кОм ± 5 % |
1 |
12 |
R13, R19 |
МЛТ - 0,25 - 2 кОм ± 5 % |
2 |
13 |
R15 |
МЛТ - 0,25 - 1,2 кОм ± 5 % |
1 |
14 |
R16 |
МЛТ - 0,25 - 680 кОм ± 5 % |
1 |
15 |
R17 |
МЛТ - 0,25 - 330 кОм ± 5 % |
1 |
16 |
R18 |
МЛТ - 0,25 - 200 кОм ± 5 % |
1 |
17 |
R20 |
МЛТ - 0,25 - 47 кОм ± 5 % |
1 |
18 |
R22, R24 |
МЛТ - 0,25 - 130 кОм ± 5 % |
2 |
Диоды | |||
19 |
VD1, VD2 |
КС 168 А |
2 |
Транзисторы | |||
20 |
VT1 - VT4 |
КТ 312 А |
4 |
21 |
VT5 |
2Т 301 Б |
1 |
22 |
VT6 |
2Т 301 Ж |
1 |
23 |
VT7 |
КТ 815 Б |
1 |
24 |
VT8 |
КТ 819 Б |
1 |
25 |
VT9 |
КТ 818 Б |
1 |
Проект системы видеонаблюдения для малых предприятий на базе OOO Лоцман-БТ
В наши дни системы видеонаблюдения выделились в самостоятельную область
средств охраны, имеющую собственные правила и особенности эксплуатации. Системы
виде ...
Проектирование генераторного триода дециметрового диапазона
Генераторные
лампы предназначены для генерирования и усиления электрических колебаний низких
и высоких частот. По роду работы генераторные лампы можно разде ...
Прибор для мониторинга напряжения питающей сети
устройство электронный измерительный индикация
С
уровнем развития энергетики часто связывают состояние промышленного
производства, уровень жизни населения и ...