Разделы сайта

Балансные (дифференциальные) усилители

Рассчитать ДУ на биполярных транзисторах с ГСТ, несимметричным входом и выходом. ЭДС входного сигнала Еr = 1,2 мВ, сопротивление Rr = 1,6 Ом. требуемый коэффициент усиления КUд = 15, сопротивление Rвх ³ 47 кОм.

Решение

. Для обеспечения малого дрейфа ДУ выбираем транзисторы КТ312А, имеющие малый тепловой ток и достаточно высокий коэффициент b. Допустимое напряжение Uкэ max £ 15 В. Следовательно, Ек1 = Ек2 £ 7,5 В. Амплитуда выходного напряжения Uвых = KUдEr = 15×1,2 = 18 мВ, тогда примем Ек1 = Ек2 = 7 В. Меньшие значения Ек затрудняют построение ГСТ.

. Выбираем для транзисторов Т1 и Т2 рабочую точку с Uкэ0 = 3 В, Iк0 = 1 мА, Uбэ0 = 0,45 В. Тогда номинал резистора Rк составляет

В выбранном режиме h11э = 2 кОм, b = 40, тогда

Примем R’ э = 1,2 кОм, тогда вх.д = 2[h 11э + 0,5R’ э(35 + 1)] = 47,2 кОм.

Примем Rб = Rr = 1,6 Ом, тогда:

Получили, что КU и Rвх удовлетворяют условию.

. Рассчитаем ГСТ, для чего вначале определим потенциал коллектора транзистора Т3 относительно общей шины:

к3 = -(Iб01Rr + Uбэ01 + Iк01 ) = - 1,7 В.

Следовательно, падение напряжения на транзисторе Т3 и резисторе R3 составит Ек2 - Uк3 = 7 - 1,7 = 5,3 В.

Выберем потенциал базы транзистора Т3: Uбэ = - 4,5 В, Uкб3 » 4 В. Тогда падение напряжения U на резисторе R4 и диоде Д:

= Ек2 - Uбэ = 7 - 4,5 = 2,5 ВR3 = U - Uбэ03 = 2,5 - 0,5 = 2 В.

Т.к. при Iк03 = Iк01 + Iк02 = 2 мА, Uбэ03 = 0,5 В.

Тогда сопротивление резистора R3:

3 = UR3/Iк03 =2/2 = 1 кОм.

Выберем ток делителя R4, R5, равным Iк03 = 2 мА. Тогда

5 = (Ек2 -U)/Iдел = 2,25 кОм.

Примем в качестве диода транзистор КТ312А в диодном включении, при Iэ = 2мА величина Uд = Uбэ0 = 0,5 В и поэтому

В итоге имеем:к1 и Rк2 - МЛТ - 0,25 - 3,9 кОм 5%.э1 и Rэ2 - МЛТ - 0,25 - 620 Ом 5%.3 и R4 - МЛТ - 0,25 - 1 кОм 5%5 - МЛТ - 0,25 - 2,2 кОм 5%.6 - МОН - 0,25 - 1,6 Ом 5%.

№	Обозначение	Наименование	Кол-во
Конденсаторы
1	С1, С2	К50 - 6 - 5 мкФ - 16В	2
2	С3, С4, С7	К50 - 6 - 100 мкФ - 16В	3
3	С5, С6, С8	К50 - 6 - 50 мкФ - 16В	3
Резисторы
4	R1, R4, R14	МЛТ - 0,25 - 3,9 кОм ± 5 %	3
5	R2, R5	МЛТ - 0,25 - 620 кОм ± 5 %	2
6	R3, R6, R9	МЛТ - 0,25 - 1 кОм ± 5 %	3
7	R7	МЛТ - 0,25 - 2,2 кОм ± 5 %	1
8	R8	МОН - 0,25 - 1,6 кОм ± 5 %	1
9	R10, R21, R23	МЛТ - 0,25 - 1 кОм ± 5 %	3
10	R11	МЛТ - 0,25 - 47 кОм ± 5 %	1
11	R12	МЛТ - 0,25 - 5,1 кОм ± 5 %	1
12	R13, R19	МЛТ - 0,25 - 2 кОм ± 5 %	2
13	R15	МЛТ - 0,25 - 1,2 кОм ± 5 %	1
14	R16	МЛТ - 0,25 - 680 кОм ± 5 %	1
15	R17	МЛТ - 0,25 - 330 кОм ± 5 %	1
16	R18	МЛТ - 0,25 - 200 кОм ± 5 %	1
17	R20	МЛТ - 0,25 - 47 кОм ± 5 %	1
18	R22, R24	МЛТ - 0,25 - 130 кОм ± 5 %	2
Диоды
19	VD1, VD2	КС 168 А	2
Транзисторы
20	VT1 - VT4	КТ 312 А	4
21	VT5	2Т 301 Б	1
22	VT6	2Т 301 Ж	1
23	VT7	КТ 815 Б	1
24	VT8	КТ 819 Б	1
25	VT9	КТ 818 Б	1

Перейти на страницу: 1 2

Интересное из раздела

Расчет параметров различных видов сигналов
В последнее десятилетие ХХ века произошла научно-техническая революция в области транспортной связи, в основе которой лежат два крупных достижения науки сер ...

Расчет установившихся режимов линейных электрических цепей
Данная работа представляет собой обобщение работы, проведенной за время обучения теоретических основ электротехники. Фактически всю работу можно разделить н ...

Проектирование зеркальных антенн для индивидуального приема спутниковых программ
Наибольший интерес в настоящее время представляет прием телевидения в диапазоне 11…12 ГГц, для которого наиболее применимы параболические антенны, так как п ...