Разделы сайта

Балансные (дифференциальные) усилители

Рассчитать ДУ на биполярных транзисторах с ГСТ, несимметричным входом и выходом. ЭДС входного сигнала Еr = 1,2 мВ, сопротивление Rr = 1,6 Ом. требуемый коэффициент усиления КUд = 15, сопротивление Rвх ³ 47 кОм.

Решение

. Для обеспечения малого дрейфа ДУ выбираем транзисторы КТ312А, имеющие малый тепловой ток и достаточно высокий коэффициент b. Допустимое напряжение Uкэ max £ 15 В. Следовательно, Ек1 = Ек2 £ 7,5 В. Амплитуда выходного напряжения Uвых = KUдEr = 15×1,2 = 18 мВ, тогда примем Ек1 = Ек2 = 7 В. Меньшие значения Ек затрудняют построение ГСТ.

. Выбираем для транзисторов Т1 и Т2 рабочую точку с Uкэ0 = 3 В, Iк0 = 1 мА, Uбэ0 = 0,45 В. Тогда номинал резистора Rк составляет

В выбранном режиме h11э = 2 кОм, b = 40, тогда

Примем R’ э = 1,2 кОм, тогда вх.д = 2[h 11э + 0,5R’ э(35 + 1)] = 47,2 кОм.

Примем Rб = Rr = 1,6 Ом, тогда:

Получили, что КU и Rвх удовлетворяют условию.

. Рассчитаем ГСТ, для чего вначале определим потенциал коллектора транзистора Т3 относительно общей шины:

к3 = -(Iб01Rr + Uбэ01 + Iк01 ) = - 1,7 В.

Следовательно, падение напряжения на транзисторе Т3 и резисторе R3 составит Ек2 - Uк3 = 7 - 1,7 = 5,3 В.

Выберем потенциал базы транзистора Т3: Uбэ = - 4,5 В, Uкб3 » 4 В. Тогда падение напряжения U на резисторе R4 и диоде Д:

= Ек2 - Uбэ = 7 - 4,5 = 2,5 ВR3 = U - Uбэ03 = 2,5 - 0,5 = 2 В.

Т.к. при Iк03 = Iк01 + Iк02 = 2 мА, Uбэ03 = 0,5 В.

Тогда сопротивление резистора R3:

3 = UR3/Iк03 =2/2 = 1 кОм.

Выберем ток делителя R4, R5, равным Iк03 = 2 мА. Тогда

5 = (Ек2 -U)/Iдел = 2,25 кОм.

Примем в качестве диода транзистор КТ312А в диодном включении, при Iэ = 2мА величина Uд = Uбэ0 = 0,5 В и поэтому

В итоге имеем:к1 и Rк2 - МЛТ - 0,25 - 3,9 кОм 5%.э1 и Rэ2 - МЛТ - 0,25 - 620 Ом 5%.3 и R4 - МЛТ - 0,25 - 1 кОм 5%5 - МЛТ - 0,25 - 2,2 кОм 5%.6 - МОН - 0,25 - 1,6 Ом 5%.

№	Обозначение	Наименование	Кол-во
Конденсаторы
1	С1, С2	К50 - 6 - 5 мкФ - 16В	2
2	С3, С4, С7	К50 - 6 - 100 мкФ - 16В	3
3	С5, С6, С8	К50 - 6 - 50 мкФ - 16В	3
Резисторы
4	R1, R4, R14	МЛТ - 0,25 - 3,9 кОм ± 5 %	3
5	R2, R5	МЛТ - 0,25 - 620 кОм ± 5 %	2
6	R3, R6, R9	МЛТ - 0,25 - 1 кОм ± 5 %	3
7	R7	МЛТ - 0,25 - 2,2 кОм ± 5 %	1
8	R8	МОН - 0,25 - 1,6 кОм ± 5 %	1
9	R10, R21, R23	МЛТ - 0,25 - 1 кОм ± 5 %	3
10	R11	МЛТ - 0,25 - 47 кОм ± 5 %	1
11	R12	МЛТ - 0,25 - 5,1 кОм ± 5 %	1
12	R13, R19	МЛТ - 0,25 - 2 кОм ± 5 %	2
13	R15	МЛТ - 0,25 - 1,2 кОм ± 5 %	1
14	R16	МЛТ - 0,25 - 680 кОм ± 5 %	1
15	R17	МЛТ - 0,25 - 330 кОм ± 5 %	1
16	R18	МЛТ - 0,25 - 200 кОм ± 5 %	1
17	R20	МЛТ - 0,25 - 47 кОм ± 5 %	1
18	R22, R24	МЛТ - 0,25 - 130 кОм ± 5 %	2
Диоды
19	VD1, VD2	КС 168 А	2
Транзисторы
20	VT1 - VT4	КТ 312 А	4
21	VT5	2Т 301 Б	1
22	VT6	2Т 301 Ж	1
23	VT7	КТ 815 Б	1
24	VT8	КТ 819 Б	1
25	VT9	КТ 818 Б	1

Перейти на страницу: 1 2

Интересное из раздела

История появления полупроводниковых интегральных схем
сентября 1958 года сотрудник фирмы Texas Instruments (TI) Джек Килби продемонстрировал руководству три странных прибора - склеенные пчелиным воском на стеклянно ...

Организация аудиовидеконференцсвязи
В настоящее время технологии видеоконференцсвязи находятся в стадии динамичного развития во всех, без исключения, развитых странах мира. Преимущества компью ...

Оборудование аудио и видео
Сейчас весь мир пользуется множеством различных устройств, в разных сферах индустрии. Прогресс не стоит на месте, каждый год, месяц появляются различны ...